Name: FDB86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDB86102LZTR-ND
Price: 2.6775 EUR
Availability: InStock

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FDB86102LZ
DigiKey-Teilenr.	FDB86102LZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDB86102LZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDB86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDB86102LZ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 8,3 A (Ta), 30 A (Tc) 3,1W (Ta) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,3 A (Ta), 30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24mOhm bei 8,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1275 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	FDB86102