FDB120N10 onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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FDB120N10
DigiKey-Teilenr.	FDB120N10TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDB120N10CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDB120N10
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 74 A (Tc) 170W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 86 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5605 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 74 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FDB120
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 74A, 10V

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Ersatzartikel (7)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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