Name: FDB045AN08A0
Brand: onsemi
SKU: FDB045AN08A0TR-ND
Price: 3.9389 EUR
Availability: InStock

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FDB045AN08A0
DigiKey-Teilenr.	FDB045AN08A0TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDB045AN08A0CT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDB045AN08A0DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDB045AN08A0
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 19 A (Ta), 90 A (Tc) 310W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19 A (Ta), 90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,5mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	310W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	FDB045