N-Kanal 300 V 59 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
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FDA59N30

DigiKey-Teilenr.
FDA59N30-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDA59N30
Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 300 V 59 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
FDA59N30 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4670 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
300 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
56mOhm bei 29,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,44000 €4,44 €
302,49167 €74,75 €
1202,06217 €247,46 €
5101,74722 €891,08 €
1.0201,65073 €1.683,74 €
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