TO-3PN
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDA28N50

DigiKey-Teilenr.
FDA28N50-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDA28N50
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 28 A (Tc) 310W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FDA28N50 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
155mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5140 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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