Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 6.8187 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCMT080N65S3
DigiKey-Teilenr.	488-FCMT080N65S3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-FCMT080N65S3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FCMT080N65S3
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 38 A (Tc) 260W (Tc) Oberflächenmontage 4-TDFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® III
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	38 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 19A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 880µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2765 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	260W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-TDFN (8x8)
Gehäuse / Hülle	4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer	FCMT080