NTMFS4H01NFT3G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMFS4H01NFT3G
DigiKey-Teilenr.	NTMFS4H01NFT3G-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMFS4H01NFT3G
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 54 A (Ta), 334 A (Tc) 3,2W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	54 A (Ta), 334 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,7mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5538 pF @ 12 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NTMFS4