PMEG2002ESF,315 NXP USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PMEG2002ESF,315
DigiKey-Teilenr.	2156-PMEG2002ESF,315-ND
Hersteller	NXP USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PMEG2002ESF,315
Beschreibung	DIODE SCHOTTK 20V 200MA DSN06032
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 20 V 200mA Oberflächenmontage DSN0603-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	NXP USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	20 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	490 mV @ 100 mA
Geschwindigkeit	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
Umkehrerholungszeit (trr)	1.9 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	3.5 µA @ 20 V
Kapazität bei Vr, F	25pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	0201 (0603 metrisch)
Gehäusetyp vom Lieferanten	DSN0603-2
Betriebstemperatur - Übergang	125°C (max.)