Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 11.4835 EUR
Availability: InStock

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MSC080SMA120SDT/R
DigiKey-Teilenr.	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	MSC080SMA120SDT/R
Beschreibung	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Standardlieferzeit des Herstellers	4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 182W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 15A, 20V
Herst. Microchip Technology	Vgs(th) (max.) bei Id 2,8V bei 1mA
Serie MSiC™ MA	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 64 nC @ 20 V
Verpackung Lose im Beutel	Vgs (Max.) +23V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 838 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 182W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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MSC080SMA120SDT/R