APTM100UM45DAG
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

APTM100UM45DAG

DigiKey-Teilenr.
APTM100UM45DAG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
APTM100UM45DAG
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 215 A (Tc) 5000W (Tc) Chassisbefestigung SP6
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
APTM100UM45DAG Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm bei 107,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 30mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1602 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
42700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
5000W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
SP6
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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1270,50000 €270,50 €
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