Name: APT38F80B2
Brand: Microchip Technology
SKU: APT38F80B2-ND
Price: 19.9801 USD
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

APT38F80B2
DigiKey-Teilenr.	APT38F80B2-ND
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	APT38F80B2
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 41 A (Tc) 1040W (Tc) Durchkontaktierung T-MAX™ [B2]
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Microchip Technology
Serie	POWER MOS 8™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	41 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	240mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8070 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1040W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	T-MAX™ [B2]
Gehäuse / Hülle	TO-247-3 Variante
Basis-Produktnummer	APT38F80

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