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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

1N5811US
Microchip Technology
Vorrätig: 3.264
Stückpreis : 5,95000 €
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Parametrisches Äquivalent

1N5811USE3
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 5,67460 €
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N5811URS
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 13,08510 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

JANS1N5811US
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 19,61000 €

Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5811URS
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 15,18390 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5811US
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 6,99000 €
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Parametrisches Äquivalent

JANTXV1N5811URS
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 18,96690 €
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Parametrisches Äquivalent

JANTXV1N5811US
Microchip Technology
Vorrätig: 319
Stückpreis : 9,92000 €
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Parametrisches Äquivalent

MNS1N5811US
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 6,84045 €
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Parametrisches Äquivalent

MNS1N5811US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : 6,55550 €
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SQ-MELF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

1N5811URS

DigiKey-Teilenr.
150-1N5811URS-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
1N5811URS
Beschreibung
DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 150 V 3A Oberflächenmontage B, SQ-MELF
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
150 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
30 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 µA @ 150 V
Kapazität bei Vr, F
60pF bei 10V, 1MHz
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
SQ-MELF, B
Gehäusetyp vom Lieferanten
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C bis 175°C
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