Name: IXXN110N65B4H1
Brand: IXYS
SKU: IXXN110N65B4H1-ND
Price: 30.8329 EUR
Availability: InStock

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IXXN110N65B4H1
DigiKey-Teilenr.	IXXN110N65B4H1-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXXN110N65B4H1
Beschreibung	IGBT MOD 650V 215A 750W SOT-227B
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul PT Einzeln 650 V 215 A 750 W Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	IXYS
Serie	XPT™, GenX4™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	PT
Konfiguration	Einzeln
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	215 A
Leistung - Max.	750 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 110A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	50 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	3.65 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227B
Basis-Produktnummer	IXXN110

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10	19,00300 €	190,03 €
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