Name: IXTY01N100D
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY01N100D-ND
Price: 5.0099 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTY01N100D
DigiKey-Teilenr.	238-IXTY01N100D-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTY01N100D
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	400mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	0V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80Ohm bei 50mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.8 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	100 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IXTY01

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70	2,08486 €	145,94 €
140	1,90450 €	266,63 €
560	1,62534 €	910,19 €
1.050	1,53257 €	1.609,20 €

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