Name: IXTT10P60
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT10P60-ND
Price: 14.7203 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTT10P60
DigiKey-Teilenr.	238-IXTT10P60-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTT10P60
Beschreibung	MOSFET P-CH 600V 10A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 600 V 10 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1Ohm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268AA
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXTT10

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30	7,54800 €	226,44 €
120	6,49167 €	779,00 €
510	6,34961 €	3.238,30 €

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