N-Kanal 200 V 60 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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IXTQ60N20L2

DigiKey-Teilenr.
IXTQ60N20L2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTQ60N20L2
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 60 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
255 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10500 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
540W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
45mOhm bei 30A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
117,79000 €17,79 €
3011,15400 €334,62 €
1209,70317 €1.164,38 €
5109,33253 €4.759,59 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:17,79000 €
Stückpreis mit MwSt.:21,17010 €
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