
IXTQ170N10P | |
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DigiKey-Teilenr. | 238-IXTQ170N10P-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTQ170N10P |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 170A TO3P |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 170 A (Tc) 715W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 9mOhm bei 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 198 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 6000 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 715W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-3P | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 10,90000 € | 10,90 € |
| 30 | 6,57567 € | 197,27 € |
| 120 | 5,62875 € | 675,45 € |
| 510 | 5,38506 € | 2.746,38 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 10,90000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 12,97100 € |











