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Infineon Technologies
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Datenblatt
N-Kanal 100 V 170 A (Tc) 715W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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IXTQ170N10P

DigiKey-Teilenr.
238-IXTQ170N10P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTQ170N10P
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 170 A (Tc) 715W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
198 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6000 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
715W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9mOhm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRFP4110PBFInfineon Technologies0IRFP4110PBF-ND0,00000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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