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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

FCPF11N65
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

R6011ENX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 500
Stückpreis : 3,48000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

STF16N60M6
STMicroelectronics
Vorrätig: 610
Stückpreis : 2,88000 €
Datenblatt

Ähnlich

FCPF380N60E
onsemi
Vorrätig: 1.914
Stückpreis : 3,25000 €
Datenblatt

Ähnlich

IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 442
Stückpreis : 2,10000 €
Datenblatt

Ähnlich

IPA65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,43000 €
Datenblatt

Ähnlich

IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 2,56000 €
Datenblatt

Ähnlich

R6011KNX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 337
Stückpreis : 2,33000 €
Datenblatt

Ähnlich

R6015ANX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 162
Stückpreis : 5,92000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF11NM80
STMicroelectronics
Vorrätig: 928
Stückpreis : 6,03000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF13NM60ND
STMicroelectronics
Vorrätig: 659
Stückpreis : 4,53000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF15N80K5
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : 3,77000 €
Datenblatt

Ähnlich

STF16N65M5
STMicroelectronics
Vorrätig: 1.595
Stückpreis : 3,44000 €
Datenblatt
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IXFP30N25X3M
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP12N65X2M

DigiKey-Teilenr.
IXTP12N65X2M-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTP12N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
Ultra X2
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220, isolierte Fahne
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack, isolierte Fahne
Basis-Produktnummer
IXTP12
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