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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTP12N65X2M | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTP12N65X2M-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP12N65X2M |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17.7 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 40W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220, isolierte Fahne |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 300mOhm bei 6A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (16)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 373 | R6011ENX-ND | 3,66000 € | Direkter Ersatz |
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| IPA65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA65R310CFDXKSA1-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
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Auf Bestellung verfügbar
Bestand des Herstellers: 1.550
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 300 | 1,98773 € | 596,32 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,98773 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,36540 € |
