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Microchip Technology
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Datenblatt
238~SOT227B~~4
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTN22N100L

DigiKey-Teilenr.
IXTN22N100L-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTN22N100L
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 22 A (Tc) 700W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 11A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
270 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7050 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
700W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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