Name: IXSG110N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSG110N65L2KTR-ND
Price: 11.1979 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IXSG110N65L2K
DigiKey-Teilenr.	238-IXSG110N65L2KTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 238-IXSG110N65L2KCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 238-IXSG110N65L2KDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXSG110N65L2K
Beschreibung	650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) Oberflächenmontage TOLL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	111A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	33mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	125 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3090 pF @ 600 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	600W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TOLL
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN