Name: IXFN32N120P
Brand: IXYS
SKU: IXFN32N120P-ND
Price: 74.018 EUR
Availability: InStock

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IXFN32N120P
DigiKey-Teilenr.	IXFN32N120P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFN32N120P
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Standardlieferzeit des Herstellers	65 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 32 A (Tc) 1000W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	32 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	310mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	6,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	360 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	21000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1000W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227B
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer	IXFN32

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