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Microchip Technology
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Datenblatt
238~SOT227B~~4
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IXFN30N120P

DigiKey-Teilenr.
IXFN30N120P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFN30N120P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 30 A (Tc) 890W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
350mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
6,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
19000 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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