Name: IXFN200N10P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFN200N10P-ND
Price: 29.7143 EUR
Availability: InStock

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IXFN200N10P
DigiKey-Teilenr.	238-IXFN200N10P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFN200N10P
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 680W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,5mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	680W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227B
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer	IXFN200

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10	18,27800 €	182,78 €
100	15,57640 €	1.557,64 €

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