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STMicroelectronics
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Datenblatt
IGBT Modul NPT Einzeln 1200 V 150 A 660 W Chassisbefestigung SOT-227B
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IXDN75N120

DigiKey-Teilenr.
IXDN75N120-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXDN75N120
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 150A SOT-227B
Standardlieferzeit des Herstellers
71 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul NPT Einzeln 1200 V 150 A 660 W Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
4 mA
Hersteller
IXYS
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
5.5 nF @ 25 V
Verpackung
Stange
Eingang
Standard
Status der Komponente
Aktiv
NTC-Thermistor
Nein
IGBT-Typ
NPT
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration
Einzeln
Montagetyp
Chassisbefestigung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Gehäuse / Hülle
SOT-227-4, miniBLOC
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 A
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Leistung - Max.
660 W
Basis-Produktnummer
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,7V bei 15V, 75A
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STGE200NB60SSTMicroelectronics66497-6731-5-ND23,80000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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1031,56500 €315,65 €
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