SPB10N10L G Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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SPB10N10L G
DigiKey-Teilenr.	SPB10N10LGINTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPB10N10L G
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 10,3 A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 21µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 10 V
Serie SIPMOS®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 444 pF @ 25 V
Status der Komponente Bei DigiKey nicht mehr erhältlich	Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10,3 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SPB10N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 154mOhm bei 8,1A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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