Name: SI4435DYTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: SI4435DYPBFTR-ND
Price: 1.2733 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4435DYTRPBF
DigiKey-Teilenr.	SI4435DYPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4435DYPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4435DYPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SI4435DYTRPBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 8 A (Tc) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4435DYTRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20mOhm bei 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2320 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	SI4435