Name: ISK057N04LM6ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND
Price: 1.1186 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISK057N04LM6ATSA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISK057N04LM6ATSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISK057N04LM6ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISK057N04LM6ATSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 15A (Ta), 64A (Tc) 2,1W (Ta), 39,1W (Tc) Oberflächenmontage PG-VSON-6-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISK057N04LM6ATSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15A (Ta), 64A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,75mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	870 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 39,1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-VSON-6-1
Gehäuse / Hülle	6-PowerVDFN