Name: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 5.3788 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISG0614N06NM5HSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISG0614N06NM5HSCATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHITFN-10-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISG0614N06NM5HSCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31A (Ta), 233A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,3V bei 86µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	102nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6400pF bei 30V
Leistung - Max.	3W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	10-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHITFN-10-1