N-Kanal 55 V 42 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 55 V 42 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
IPAK (TO-251)

IRLU2905

DigiKey-Teilenr.
IRLU2905-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRLU2905
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 42 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
42 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
27mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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