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N-Kanal 100 V 59 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFS59N10DPBF

DigiKey-Teilenr.
IRFS59N10DPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFS59N10DPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 59 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 35,4A, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
114 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2450 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
3,8W (Ta), 200W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
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