Name: IRFHS9301TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHS9301TRPBFTR-ND
Price: 0.8092 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFHS9301TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFHS9301TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFHS9301TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFHS9301TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFHS9301TRPBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 6 A (Ta), 13 A (Tc) 2,1W (Ta) Oberflächenmontage 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFHS9301TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Ta), 13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	37mOhm bei 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	580 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Gehäuse / Hülle	6-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	IRFHS9301