IRFH7110TRPBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFH7110TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFH7110TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFH7110TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 11 A (Ta), 58 A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta), 58 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13,5mOhm bei 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3240 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-TQFN mit freiliegendem Pad