Name: IRF7769L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7769L1TRPBFTR-ND
Price: 5.6763 EUR
Availability: InStock

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IRF7769L1TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7769L1TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7769L1TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7769L1TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7769L1TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 20 A (Ta), 124 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage DirectFET™, isometrisch, L8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7769L1TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 300 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11560 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 125W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Ta), 124 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten DirectFET™, isometrisch, L8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle DirectFET™, isometrisch, L8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,5mOhm bei 74A, 10V	Basis-Produktnummer IRF7769