Name: IRF7769L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7769L1TRPBFTR-ND
Price: 3.4153 EUR
Availability: InStock

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IRF7769L1TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7769L1TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7769L1TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7769L1TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7769L1TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 20 A (Ta), 124 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage DirectFET™, isometrisch, L8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7769L1TRPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Ta), 124 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,5mOhm bei 74A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11560 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DirectFET™, isometrisch, L8
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, L8
Basis-Produktnummer	IRF7769

Stückpreis ohne MwSt.:	2,87000 €
Stückpreis mit MwSt.:	3,41530 €