Name: IRF6674TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6674TRPBFTR-ND
Price: 2.7727 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF6674TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF6674TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF6674TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF6674TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF6674TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 13,4 A (Ta), 67 A (Tc) 3,6W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ MZ
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF6674TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,4 A (Ta), 67 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 13,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,9V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1350 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,6W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DIRECTFET™ MZ
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, MZ
Basis-Produktnummer	IRF6674