Name: IRF5803TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5803TRPBFTR-ND
Price: 0.5355 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF5803TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF5803TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF5803TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF5803TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF5803TRPBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 3,4 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage Micro6™(TSOP-6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF5803TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	112mOhm bei 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1110 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Micro6™(TSOP-6)
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	IRF5803