Name: IRF5802TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5802TRPBFTR-ND
Price: 0.8211 EUR
Availability: InStock

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IRF5802TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF5802TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF5802TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF5802TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF5802TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage Micro6™(TSOP-6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF5802TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6.8 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 88 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten Micro6™(TSOP-6)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 900mA (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF5802
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,2Ohm bei 540mA, 10V

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