Name: IQFH36N04NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND
Price: 5.3669 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQFH36N04NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQFH36N04NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQFH36N04NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQFH36N04NM6ATMA1
Beschreibung	IQFH36N04NM6ATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 66A (Ta), 656A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-12-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQFH36N04NM6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	66A (Ta), 656A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,36mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 1,05mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	309 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	18600 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-12-1
Gehäuse / Hülle	12-PowerTDFN

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