Name: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 3.3082 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Beschreibung	TRENCH <= 40V
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	54A (Ta), 422A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 432µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6100 pF @ 12 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHTFN-9-1
Gehäuse / Hülle	9-PowerWDFN