Name: IQE006NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 2.9393 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQE006NE2LM5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE006NE2LM5SCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE006NE2LM5SCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	47A (Ta), 310A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,58mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5453 pF @ 12 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN