Name: IQE004NE1LM7CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND
Price: 2.618 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQE004NE1LM7CGATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE004NE1LM7CGATMA1
Beschreibung	TRENCH <= 40V
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE004NE1LM7CGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	15 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	58A (Ta), 379A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 7V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,45mOhm bei 30A, 7V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 432µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 7 V
Vgs (Max.)	±7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6240 pF @ 7.5 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TTFN-9-3
Gehäuse / Hülle	9-PowerTDFN