Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 4.5934 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQDH29NE2LM5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,29mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 1,448mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	17000 pF @ 12 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHSON-8-U02
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN