Name: IQD009N06NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5SCATMA1TR-ND
Price: 5.6644 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQD009N06NM5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQD009N06NM5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQD009N06NM5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQD009N06NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQD009N06NM5SCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQD009N06NM5SCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	42A (Ta), 445A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,3V bei 163µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12000 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHSON-8-U02
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN