IPU80R2K8CEBKMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPU80R2K8CEBKMA1
DigiKey-Teilenr.	IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPU80R2K8CEBKMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,8Ohm bei 1,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,9V bei 120µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	290 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO251-3
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer	IPU80R

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