Name: IPU60R2K1CEAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPU60R2K1CEAKMA1-ND
Price: 0.8092 EUR
Availability: InStock

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IPU60R2K1CEAKMA1
DigiKey-Teilenr.	IPU60R2K1CEAKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPU60R2K1CEAKMA1
Beschreibung	CONSUMER
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 3,7 A (Tc) 38W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPU60R2K1CEAKMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,1Ohm bei 760mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 60µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	140 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	38W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO251-3
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer	IPU60R2

Stückpreis ohne MwSt.:	0,68000 €
Stückpreis mit MwSt.:	0,80920 €