Name: IPTC019N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC019N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 5.1527 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPTC019N10NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPTC019N10NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPTC019N10NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPTC019N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPTC019N10NM5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 31A (Ta), 279A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-16-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPTC019N10NM5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31A (Ta), 279A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 210µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-16-2
Gehäuse / Hülle	16-poliges PowerSOP-Modul
Basis-Produktnummer	IPTC019N