Name: IPT60R099CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND
Price: 3.9746 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT60R099CM8XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT60R099CM8XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT60R099CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT60R099CM8XTMA1
Beschreibung	IPT60R099CM8XTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 186W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 10,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,7V bei 260µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1330 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	186W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN