Name: IPT60R028G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R028G7XTMA1TR-ND
Price: 18.0761 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT60R028G7XTMA1
DigiKey-Teilenr.	IPT60R028G7XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPT60R028G7XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPT60R028G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT60R028G7XTMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 75 A (Tc) 391W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT60R028G7XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1,44mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 123 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ G7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4820 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 391W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 75 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPT60R028
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28mOhm bei 28,8A, 10V