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Infineon Technologies
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Stückpreis : 7,04000 €
Datenblatt
N-Kanal 200 V 96 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 200 V 96 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
H-PSOF-8-1

IPT111N20NFDATMA1

DigiKey-Teilenr.
IPT111N20NFDATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
IPT111N20NFDATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
IPT111N20NFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPT111N20NFDATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 96 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt
 Datenblatt
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Herst.
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Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
11,1mOhm bei 96A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 267µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7000 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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