Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 5.1765 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT039N15N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT039N15N5ATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT039N15N5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21A (Ta), 190A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,6V bei 257µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7700 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 319W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN