Name: IPT025N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT025N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.6517 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT025N15NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT025N15NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT025N15NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT025N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT025N15NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 26A (Ta), 263A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT025N15NM6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26A (Ta), 263A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 120A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 275µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	137 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9800 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 395W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN